GT60N321(Q)参数：IGBT 1000V 60A TO-3P LH
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：100系列：-包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：1000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，60A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：120A功率 - 最大值：170WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：-Td (on/off) A 25°C：330ns/700nsTest Condition：-反向恢复时间 (trr)：800ns封装：TO-3PL安装类型：通孔供应商器件封装：TO-3P（LH）
