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HGT1S10N120BNST

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相关型号： HGT1S10N120BNS HGT1N40N60A4D HGT1N30N60A4D HGS3 HGS1MD-RED HGS1M

HGT1S10N120BNST
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HGT1S10N120BNST参数：IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：800
系列：-
包装：带卷(TR)
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.7V@15V，10A
电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
Current-CollectorPulsed(Icm)：80A
功率-最大值：298W
SwitchingEnergy：0.32mJ(开),0.80mJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：100nC
Td(on/off)A25°C：23ns/165ns
TestCondition：960V,10A,10欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263AB

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