HGTG18N120BND参数:IGBT NPT N-CHAN 1200V 54A TO-247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: PlatingMaterial20/Dec/2007标准包装:150系列:-包装:管件IGBT类型:NPT电压-集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):2.7V@15V,18A电流-集电极(Ic)(最大值):54ACurrent-CollectorPulsed(Icm):160A功率-最大值:390WSwitchingEnergy:1.9mJ(开),1.8mJ(关)输入类型:标准GateCharge:165nCTd(on/off)A25°C:23ns/170nsTestCondition:960V,18A,3欧姆,15V反向恢复时间(trr):44ns封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247