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HN1C03F-B

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HN1C03F-B 优势库存
TOSHIBA
SOT23-7
2023+
5356
原装现货，价格优势
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HN1C03F-B(TE85L)
TOSHIBA
SOT23-6
2023+
4278
全新进口原装现货,保证质量
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HN1C03F-B
TOSHIBA
SOT-163
2023+
35557
全新进口原装现货,特价热卖
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HN1C03F-B(TE85R)
TOSHIBA
SOT23-6
2023+
5557
全新进口原装现货,特价热卖
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HN1C03F-B
TOSHIBA
SOT23-6
2023+
12000
品质保证,价格优惠
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HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semico..
SM6
2023+
500
全新原装现货质量保证
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HN1C03F-B(C3B)
SOT-23-6
2023+
5557
工厂配单，价格优势
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HN1C03F-B
TOSHIBA
全新原装现货
2023+
3000
HN1C03F-B
TOSHIBA
SOT-163
2023+
14999
原装现货，假一赔十
HN1C03F-B
TOSHIBA
SOT-23
2023+
13520
原装现货
相关型号： HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1 HN02 025 0010 1 HN02 025 0001 1 HN02 020 0009 7 HN02 016 0016 1

HN1B01FDW1T1
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HN1B01FDW1T1参数：TRANS BR NPN/PNP DUAL 60V SC74-6

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：1
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极(Ic)（最大值）：200mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@10mA，100mA/300mV@10mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：2µA
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@2mA，6V
功率-最大值：380mW
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：SC-74

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