HS54095TZ-E参数：MOSFET N-CH 600V 200mA TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：16.5 欧姆 @ 100mA, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：66pF @ 25V功率 - 最大值：750mW安装类型：通孔封装：TO-226-3，TO-92-3 短体供应商器件封装：TO-92-3
