HTNFET-D参数:MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1系列:HTMOS™包装:散装FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):55V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):-不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 100mA,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.3nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 28V功率 - 最大值:50W安装类型:通孔封装:8-CDIP 裸露焊盘供应商器件封装:8-CDIP-EP