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HUF75329P

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HUF75329P3
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HUF75329P3参数：MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
标准包装：400
系列：UltraFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：49A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：24毫欧@49A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：75nC@20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1060pF@25V
功率-最大值：128W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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