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HUF76429D3

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HUF76429D3S-NL 优势库存
FAIRC
TO-252(DPAK)
2023+
11212
全新原厂原装现货
HUF76429D3S 优势库存
FAIRCHILD
SOT252
2023+
410
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HUF76429D3S 优势库存
INTERSIL
TO-252
2023+
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HUF76429D3ST
onsemi
TO-252AA
2023+
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HUF76429D3S
onsemi
TO-252AA
2023+
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全新原装进口现货品质保证
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HUF76429D3S
FAIRCHILD
TO-252
2023+
22278
全新进口原装现货,保证质量
HUF76429D3
FSC
TO-220
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
HUF76429D3S
FairchildSemic..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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HUF76429D3ST
FairchildSemic..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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HUF76429D3S
FairchildSemic..
DPak,SC-63,T..
2023+
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FairchildSemic..
DPak,SC-63,T..
2023+
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HUF76429D3ST
FAIRCHILD
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HUF76429D3T
FAIRCHILD/HARR..
TO-251
2023+
26278
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HUF76429D3S
INTERSIL
TO-252
2023+
6946
全新原装现货，价格优惠
HUF76429D3ST
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
2023+
6947
全新原装现货，价格优惠
HUF76429D3T
FAIRCHILD/HARR..
TO-251
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13500
低价格.高品质.服务好.现..
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16500
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16500
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HUF76429D3S
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HUF76429D3S参数：MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,800
系列：UltraFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1480pF @ 25V
功率 - 最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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