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HYB18T512160AF

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HYB18T512160AF-3.7 优势库存
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相关型号： HYB18T1G800BF-3S HY92-12LF HY330 HY22-73LF HY1Z-9V HY1Z-6V

HYB18T512800BF-2.5
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HYB18T512800BF-2.5参数：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA

类别：集成电路 (IC)-存储器
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
格式 - 存储器：RAM
存储器类型：DDR2 SDRAM
存储容量：512M（64M x 8）
速度：400MHz
接口：并联
电压 - 电源：1.7 V ~ 1.9 V
工作温度：0°C ~ 95°C
封装：60-TFBGA
供应商器件封装：60-TFBGA（10.5x10）

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