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HYB25D512160BE-6

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相关型号： HYB25D128800CE-6 HYB18T512800BF-3S HYB18T512800BF-3.7 HYB18T512800BF-2.5 HYB18T1G800BF-3S HY92-12LF

HYB25D512800CE-5
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HYB25D512800CE-5参数：IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 66TSOP

类别：集成电路 (IC)-存储器
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
格式 - 存储器：RAM
存储器类型：DDR SDRAM
存储容量：512M（64M x 8）
速度：200MHz
接口：并联
电压 - 电源：2.3 V ~ 2.7 V
工作温度：0°C ~ 70°C
封装：66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：66-TSOP II

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