IGB01N120H2参数：IGBT 1200V 1A 28W TO263-3-2
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，1A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：3.5A功率 - 最大值：28WSwitching Energy：140µJ输入类型：标准Gate Charge：8.6nCTd (on/off) A 25°C：13ns/370nsTest Condition：800V, 1A, 241 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：PG-TO263-3-2
