IGNET1CS

IGA03N120H2
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IGA03N120H2参数：IGBT 1200V 3A 29W TO220-3

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：500
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，3A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A
Current - Collector Pulsed (Icm)：9A
功率 - 最大值：29W
Switching Energy：290µJ
输入类型：标准
Gate Charge：8.6nC
Td (on/off) A 25°C：9.2ns/281ns
Test Condition：800V, 3A, 82 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3