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IMH1A

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IMH1A 优势库存
ROHM
SOT163
2023+
9356
原装现货，价格优势
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IMH1A
2023+
5253
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IMH1A/H1
ROHM
SOT-163
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IMH1AT100
ROHM
SOT163
2023+
4278
全新进口原装现货,保证质量
IMH1AT110
RohmSemiconduc..
SC-74,SOT-457
2023+
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IMH1A/H1
ROHM
SOT-163
2023+
1500
品质保证,价格优惠
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IMH1A
ROHM
SOT-163
2023+
1500
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IMH1AT110
RohmSemiconduc..
SC-74-6
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IMH1AT110
ROHM
NA
2023+
7278
全新进口原装现货,保证质量
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IMH1A-T
ROHM
SOT23-6
2023+
2479
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IMH1AT110
ROHM
SC-74-6
2023+
16000
【【原装绝对有货】】
相关型号： IMH15AT110 IMH14AT108 IMH11AT110 IMH10AT110 IMGZXF6-1REC4-33892-3-V IMGS1-1REG4-33772-30

IMH1AT110
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IMH1AT110参数：TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-457

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品目录绘图： SOT-457PackageTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：2个NPN预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：22k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：22k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：56@5mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@500µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：250MHz
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：SMT6

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