IPB60R099C6参数：MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：1,000系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：37.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：99毫欧@18.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@1.21mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：119nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2660pF@100V功率-最大值：278W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263-2
