IPD053N06N

IPD053N06N
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IPD053N06N参数：MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.3 毫欧 @ 45A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 36µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 30V
功率 - 最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3