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IPD09N03LB

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相关型号： IPD09N03LA G IPD096N08N3 G IPD090N03L G IPD088N06N3 G IPD088N04L G IPD082N10N3 G

IPD09N03LB G
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IPD09N03LB G参数：MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.1毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@15V
功率-最大值：58W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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