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IPD10N03LA

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infineon
SOT252
2023+
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TO-252(DPAK)
2023+
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IPD10N03LA G
Infineon Techn..
PG-TO252-3-11
2023+
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PG-TO252-3-11
2023+
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TO252-3
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Infineon
库房现货原装进口
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TO252-3
2023+
17500
低价格.高品质.服务好.现..
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IPD10N03LA
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IPD10N03LA参数：MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10.4毫欧@30A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1358pF@15V
功率-最大值：52W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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