IPD50R950CE参数：MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： 500VCoolMOSCEApplicationNote标准包装：2,500系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：超级结漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：950毫欧@1.2A，13V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：231pF@100V功率-最大值：34W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
