IPD60R385CP参数:MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:OptiMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):650V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):385 毫欧 @ 5.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 340µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):790pF @ 100V功率 - 最大值:83W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO252-3