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IPD70N10

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IPD70N10S312ATMA1
Infineon Techn..
PG-TO252-3-11
2023+
29500
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IPD70N10S3L12ATMA1
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IPD70N10S3L-12
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IPD70N10S3-12
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IPD70N10
TO-263
2023+
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IPD70N10S3-12
Infineon
DPAK-3
2023+
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【【原装绝对有货】】
IPD70N10S3L-12
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DPAK-3
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IPD70N10S3L-12
英飞凌
TO-252
2023+
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低价格.高品质.服务好.现..
IPD70N10S3-12
英飞凌
TO-252
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相关型号： IPD70N04S3-07 IPD70N03S4L-04 IPD65R660CFD IPD65R600E6 IPD65R600C6 IPD65R420CFD

IPD70N10S3-12
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IPD70N10S3-12参数：MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：70A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.1 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4355pF @ 25V
功率 - 最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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