IPG20N06S2L-65参数：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 14µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：410pF @ 25V功率 - 最大值：43W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）