IPL60R299CP参数：MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：CoolMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：299 毫欧 @ 6.6A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 100V功率 - 最大值：96W安装类型：表面贴装封装：4-TSFN 裸露焊盘供应商器件封装：PG-VSON-4
