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IPP023NE7N3G

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IPP023NE7N3GXKSA1

Infineon Techn..

PG-TO220-3-1

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500

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TO-220-3

2023+

4827

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深圳市科锦电子有限公司

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TO-220-3

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相关型号： IPP023NE7N3 G IPP023N04N G IPP020N06N IPP015N04N G IP-NIOS IP-NCO

IPP023NE7N3 G
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IPP023NE7N3 G参数：MOSFET N-CH 75V 120A TO220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 273µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：206nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14400pF @ 37.5V
功率 - 最大值：300W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

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