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IPW65R048CFDA

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IPW65R041CFD
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IPW65R041CFD参数：MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：240
系列：CoolMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：68.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：41 毫欧 @ 33.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 3.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8400pF @ 100V
功率 - 最大值：500W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：*

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