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IRC640

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相关型号： IRC634PBF IRC630PBF IRC540PBF IRC530PBF IRB02A 300X300X1 IRAUTOHBR1

IRC640PBF
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IRC640PBF参数：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IRCSeriesSide
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：电流感测
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：180毫欧@11A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：70nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@25V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-220-5
供应商器件封装：TO-220-5

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