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IRF1503L

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IRF1503LPBF
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IRF1503LPBF参数：MOSFET N-CH 30V 75A TO-262

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF1503LPBFSaberModel IRF1503LPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.3毫欧@140A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：200nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5730pF@25V
功率-最大值：200W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：TO-262

IRF1503L

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