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IRF1902TR

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IRF1902TRPBF
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IRF1902TRPBF参数：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：310pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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