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IRF2903ZS

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IRF2903ZSTRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
6667
全新原厂原装现货
IRF2903ZSTRLP
Infineon Techn..
D2PAK
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IRF2903ZS
IR
D2-pak
2023+
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TO-263-3,Dsu..
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Dsup2Pak，TO-..
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D2-PAK
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D2-pak
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IRF2903ZSTRLP
IR
D-PAK-3
2023+
26000
晶体管
IRF2903ZSPBF
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D-PAK-3
2023+
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晶体管
相关型号： IRF2903ZPBF IRF2903ZLPBF IRF2807ZSTRRPBF IRF2807ZSTRR IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRL

IRF2903ZSPBF
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IRF2903ZSPBF参数：MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF2903ZLPBFSaberModel IRF2903ZLPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.4毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：240nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6320pF@25V
功率-最大值：231W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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