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IRF6217

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相关型号： IRF6216TRPBF IRF6216PBF IRF6215STRRPBF IRF6215STRR IRF6215STRLPBF IRF6215SPBF

IRF6217TRPBF
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IRF6217TRPBF参数：MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF6217TRPBFSaberModel IRF6217TRPBFSpiceModel
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：700mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.4欧姆@420mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：150pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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