IRF630参数：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： IRF630ViewAllSpecifications标准包装：50系列：MESHOVERLAY™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@4.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：700pF@25V功率-最大值：75W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB工具箱：497-8004-KIT-ND-KITMOSFETTHRUHOLE9VAL5EA