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IRF644N

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相关型号： IRF644L IRF644B_FP001 IRF644 IRF640STRRPBF IRF640STRR IRF640STRLPBF

IRF644N
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IRF644N参数：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：250V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1060pF @ 25V
功率 - 最大值：150W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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