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IRF6601

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IRF6601
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IRF6601参数：MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： DirectFETMOSFET4PsChecklist
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：26A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.8毫欧@26A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3440pF@15V
功率-最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容MT
供应商器件封装：DIRECTFET?MT

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