IRF6609TRPBF参数：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)产品目录绘图： IRHexfetCircuit设计资源： IRF6609SaberModel IRF6609SpiceModel标准包装：4,800系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：31A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2毫欧@31A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.45V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：69nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6290pF@10V功率-最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MT供应商器件封装：DIRECTFET?MT
