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IRF6614TR

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相关型号： IRF6614 IRF6613TRPBF IRF6613TR1PBF IRF6613TR1 IRF6613 IRF6612TRPBF

IRF6614TR1
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IRF6614TR1参数：MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF6614SaberModel IRF6614SpiceModel
PCNObsolescence： (EP)Parts25/May/2012
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.3毫欧@12.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.25V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：29nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2560pF@20V
功率-最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容ST
供应商器件封装：DIRECTFET?ST

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