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IRF6621TR1PBF

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IRF6621TR1PBF
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IRF6621TR1PBF参数：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
产品目录绘图： IRHexfetCircuit IRHexfetCircuit
设计资源： IRF6621SaberModel IRF6621SpiceModel
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.1毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.25V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1460pF@15V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容SQ
供应商器件封装：DIRECTFET?SQ

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