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IRF6636

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相关型号： IRF6635TRPBF IRF6635TR1PBF IRF6635TR1 IRF6635 IRF6633TRPBF IRF6633TR1PBF

IRF6636
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IRF6636参数：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： DirectFETMOSFET4PsChecklist
产品目录绘图： IRHexfetCircuit
设计资源： IRF6636SaberModel IRF6636SpiceModel
标准包装：4,800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@18A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.45V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2420pF@10V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容ST
供应商器件封装：DIRECTFET?ST

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