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IRF6645TR

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相关型号： IRF6645 IRF6644TRPBF IRF6644TR1PBF IRF6644TR1 IRF6644 IRF6643TRPBF

IRF6645TR1PBF
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IRF6645TR1PBF参数：MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
产品目录绘图： IRHexfetCircuit
设计资源： IRF6645SaberModel IRF6645SpiceModel
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@5.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：890pF@25V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容SJ
供应商器件封装：DIRECTFET?SJ
配用：IRAUDAMP5-ND-BOARDDEMOIRS2092S/IRF6645IRAUDAMP4-ND-KIT2CH120WHALFBRDGAUDIOAMP

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