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IRF6668TR1

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IRF6668TR1
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IRF6668TR1参数：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF6668TR1SaberModel IRF6668TR1SpiceModel
PCNObsolescence： (PMD)LeadedParts25/May/2012
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：55A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1320pF@25V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容MZ
供应商器件封装：DIRECTFET?MZ

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