首页 > IC > I-1229页 >

IRF6668TR1

供应查询
您是不是要找：IRF6668TR1PBFIRF6668TRPBFIRF6674TRIRF6674TR1IRF6674TR1PBF
IRF6668TR1
Infineon Techn..
DIRECTFET? MZ
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
IRF6668TR1PBF
Infineon Techn..
DIRECTFET? MZ
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
IRF6668TR1PBF
InternationalR..
DirectFETtra..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IRF6668TR1
InternationalR..
DirectFETtra..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IRF6668TR1
InternationalR..
DirectFETtra..
2023+
1000
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
电话：18922857317
联系人：洪小姐
QQ询价
IRF6668TR1
INTERNATIONAL ..
原厂标准封装
2023+
850
原装进口 优势现货 价格最..
相关型号： IRF6665TRPBF IRF6665TR1PBF IRF6665TR1 IRF6665 IRF6662TRPBF IRF6662TR1PBF

IRF6668TR1
PDF资料下载

IRF6668TR1参数：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF6668TR1SaberModel IRF6668TR1SpiceModel
PCNObsolescence： (PMD)LeadedParts25/May/2012
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：55A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1320pF@25V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容MZ
供应商器件封装：DIRECTFET?MZ

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网