IRF6712STR

IRF6712STR1PBF
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IRF6712STR1PBF参数：MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
产品目录绘图： IRHexfetCircuit
设计资源： IRF6712STR1PBFSaberModel IRF6712STR1PBFSpiceModel
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.9毫欧@17A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1570pF@13V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容SQ
供应商器件封装：DIRECTFET?SQ