IRF6714MTR1PBF参数:MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)产品目录绘图: IRHexfetCircuit设计资源: IRF6714MTR1PBFSaberModel IRF6714MTR1PBFSpiceModel标准包装:1,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):25V电流-连续漏极(Id)(25°C时):29A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):2.1毫欧@29A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):44nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):3890pF@13V功率-最大值:2.8W安装类型:表面贴装封装:DirectFET?等容MX供应商器件封装:DIRECTFET?MX