IRF6718L2TRPBF参数：MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF6718L2TR1PBFSaberModel IRF6718L2TR1PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：61A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：0.7毫欧@61A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：96nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6500pF@13V功率-最大值：4.3W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等距L6供应商器件封装：DIRECTFETL6
