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IRF710S

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IR
TO-263(D2PAK)
2023+
6667
全新原厂原装现货
IRF710STRR
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
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IRF710STRR
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IRF710S
IR
D2-PAK
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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IRF710STRR
IR
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TO-263
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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IRF710SPBF
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SOT-263
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31278
工厂配单，价格优势
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IRF710S
IOR
TO-263
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23348
全新原装现货，价格优惠
IRF710STRRPBF
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IRF710STRLPBF
IR
进口原装 库房现货
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进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRF710PBF IRF710L IRF7105TRPBF IRF7105QTRPBF IRF7105PBF IRF7104TRPBF

IRF710S
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IRF710S参数：MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：400V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：170pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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