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IRF7210PBF

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IRF7210PBF
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IRF7210PBF参数：MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 16A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：212nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：17179pF @ 10V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

IRF7210PBF

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