IRF7314QTRPBF参数：MOSFET HEX P-CH DUAL 20V 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带 (CT)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：58 毫欧 @ 5.2A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：913pF @ 15V功率 - 最大值：2.4W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
