IRF7317TRPBF参数：MOSFET N+P 20V 5.3A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.6A，5.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@15V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
