IRF7322D1参数：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：95系列：FETKY™包装：管件FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：62 毫欧 @ 2.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：780pF @ 15V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO