IRF7342D2TR

IRF7342D2TRPBF
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IRF7342D2TRPBF参数：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：FETKY™
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：690pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO