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IRF7353D2PBF

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IRF7353D2PBF
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IRF7353D2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：95
系列：FETKY™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@5.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：650pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

IRF7353D2PBF

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