IRF7503TR参数：MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence： (PMD)LeadedParts25/May/2012标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：135毫欧@1.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：210pF@25V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：Micro8?