IRF7603TR参数：MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRF7603TRSaberModel IRF7603TRSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@3.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：520pF@25V功率-最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：Micro8?